Які загальні двовимірні матеріали MXENE?

Оцінка процесу розшарування в синтезі MXENES (двовимірних карбідів перехідного металу та нітридів) є критично важливим для їх розвитку та застосування. Однак підготовка великих пластівців MXENE без дефектів з високими врожаями є складною. Тут продемонстрована стратегія розшарування (PFD), орієнтована на потужність, яка може підвищити ефективність розшарування та вихід великих наношетів TI3C2TX MXENE за допомогою повторних процесів осадження та вихору. Згідно з протоколом, TI3C2TX MXENE має колоїдну концентрацію 20,4 мг мл-1, що може бути досягнуто після п'яти циклів PFD, і отримується 61,2% NA3C2TX NANOSHEET без базових поверхневих дефектів, 6,4 рази вище, ніж отриманий за допомогою ультраконічного стриппінгу . Як нанотінові пристрої, так і фільми, що підтримуються, мають чудову електропровідність (приблизно 25 000 та 8260 с см-1 для моношарів товщиною 1,8 нм та плівки товщиною 11 мкм відповідно). Гідродинамічні моделювання показують, що метод PFD може ефективно концентрувати напругу зсуву на поверхні нерозв'язаного матеріалу, в результаті чого зачистка наношерів. Великі наношенти MXENE, синтезовані PFD, виявляють відмінну електропровідність та електромагнітне екранування (ефективність екранування на одиницю об'єму: 35 419 дБ см 2 G-1). Тому стратегія PFD забезпечує ефективний спосіб підготовки високопродуктивних одношарових наношерів MXENE з великою площею та високим врожаєм